闪存基础知识系列

• 1. 闪存读操作（Read）
  • 1.1 读取ID操作（Read ID）
    • 1.1.1 “解扣”，一个修改ID的地下江湖
  • 1.2 读取特定（独一无二的）ID（Read Unique ID）
  • 1.3 读取ONFI参数页操作（Read Parameter page）
  • 1.4 Read Status
  • 1.5 Read Status Enhanced
  • 1.6 Fixed Add Read Status Enhanced
  • 1.7 Read Mode
  • 1.8 Read Page
    • 1.8.1 如何获取每页读取时间，以及多页读取时间汇总
    • 1.8.2 如何实现读取任意页，有条件或者循环读取
  • 1.9 Partial Page Read
  • 1.10 Read Cache Sequential
  • 1.11 Read Cache Random
  • 1.12 Read Cache Last
  • 1.13 Read page Multi-Plane
  • 1.14 Read Retry
  • 1.15 Read OTP Page
  • 1.16 CopyBack Read
  • 1.17 CopyBack Read Multi-Plane
• 2. 闪存写操作（Program）
  • 2.1 Program Page
  • 2.2 Program Page Cache
  • 2.3 Program Page Multi-Plane
  • 2.4 Program Suspend
  • 2.5 Program Resume
  • 2.6 Change Write Column
  • 2.7 Copy Back Program
  • 2.8 Copy Back Program Multi-Plane
  • 2.9 One-Time Programable（OTP）
    • 2.9.1 Program OTP Page
    • 2.9.2 Protect OTP Area
    • 2.9.3 Read OTP page
• 3. 闪存擦除操作（Erase）
  • 3.1 Erase Block
  • 3.2 Erase Block Multi-Plane
  • 3.3 Erase Suspend
  • 3.4 Erase Resume
• 4. 闪存参数配置（Configration Operation）
  • 4.1 Set Features
  • 4.2 Get Features
  • 4.3 Set/Get Features By Lun
  • 4.4 Volume Select
  • 4.5 ODT Configure
  • 4.6 ZQ Calibration
• 5. 地址操作
  • 5.1 Change Read Column
  • 5.2 Change Read Column Enhanced
  • 5.3 Change Write Column
  • 5.4 Change Row Address
• 6. Multi Plane相关操作
• 7. Interleaved die (Multi Plane)操作
• 8. 闪存错误管理
• 9. Shared Pages
• 10. 读取干扰根源及测试方法
• 11. 编程干扰的根源及测试方法
• 12. 数据保持时间（Data Retention）的测试方法
• 13. 闪存Vth漂移与P/E的关系
• 14. 闪存误码率的测试方法
• 15. ONFI、Toggle、NV-DDR、同步和异步