为了执行多平面块擦除，通常需要遵循以下步骤：

1. 发送多平面块擦除命令。
2. 发送第一个平面的擦除块地址。
3. 用一个特定命令表示要擦除其它平面，并发送相应的块地址。
4. 发送确认擦除命令，以执行擦除操作。
5. 等待直到擦除操作完成。
6. 确认擦除操作结果。

在具体编程实践中，这些步骤的细节（例如命令代码和地址格式）可能会依照不同 NAND Flash 制造商的规格而变化。以下是多平面块擦除的例子（请注意，这是用于演示目的的伪代码，可能不适用于所有 NAND Flash 设备）：

#include <nand_flash.h> // 假设你有一个库用于与 NAND Flash 通信

// 多平面块擦除命令和一个特定设备的确认命令
#define MULTI_PLANE_ERASE_SETUP    0x60
#define MULTI_PLANE_ERASE_CONFIRM  0xD0

void eraseMultiPlaneBlock(uint32_t blockAddressPlane1, uint32_t blockAddressPlane2) {
    // 1. 发送多平面块擦除设置命令
    sendCommand(MULTI_PLANE_ERASE_SETUP);

    // 2. 发送第一个平面上要擦除块的地址
    sendAddress(blockAddressPlane1);

    // 3. 再次发送多平面块擦除设置命令
    sendCommand(MULTI_PLANE_ERASE_SETUP);

    // 4. 发送第二个平面上要擦除块的地址
    sendAddress(blockAddressPlane2);

    // 5. 发送多平面块擦除确认命令，执行擦除
    sendCommand(MULTI_PLANE_ERASE_CONFIRM);

    // 6. 等待直到擦除操作完成
    waitUntilReady();

    // 7. 检查每个平面擦除的状态
    if (checkStatusPlane1() && checkStatusPlane2()) {
        // 擦除成功
    } else {
        // 擦除失败处理
    }
}

// 实现 sendCommand, sendAddress, waitUntilReady 和 checkStatusPlane1, checkStatusPlane2
// 这些函数需要根据你的 NAND Flash 设备规格来完成实现。

多平面块擦除操作的确切细节取决于 NAND Flash 的具体型号和制造商提供的编程指南。在编写用于多平面操作的代码之前，请务必详细阅读 NAND Flash 数据手册，以确保正确使用命令和地址。