以下是一个擦除恢复操作的示意性代码示例。这段代码假设之前已经使用 Erase Suspend 命令暂停了擦除操作。

#include <nand_flash.h> // 假设你有一个与 NAND Flash 通信的库

// 假设的 NAND Flash 擦除恢复命令
#define ERASE_RESUME_COMMAND 0xD0

void resumeEraseOperation() {
    // 发送擦除恢复命令以继续暂停的擦除操作
    sendCommand(ERASE_RESUME_COMMAND);

    // 等待擦除操作完成
    waitForEraseToComplete();

    // 确认擦除操作是否成功完成
    if (!checkEraseStatus()) {
        // 处理擦除失败情况
    }
}

// 实现 sendCommand, waitForEraseToComplete 和 checkEraseStatus 函数。
// 函数的实现将基于你的硬件规范和接口。

在实际的 NAND Flash 存储设备中，执行Erase Resume操作会涉及到底层硬件的特定细节，需要遵循制造商提供的技术规范。在编写针对特定设备的代码之前，请确保你已经仔细阅读了相应的数据手册，并理解了如何正确使用提供的命令代码。

擦除恢复操作在使用上需要额外的注意：

• 在执行Erase Resume命令之前，必须确保擦除暂停请求已经被 NAND Flash 设备接受，而且所有紧急读取或其他操作均已完成。
• 不同的 NAND Flash 设备可能对Erase Resume操作的支持有所不同，并且可能具有不同的命令代码和条件。
• 恢复擦除操作后，你应检查操作的完成状态，以确定擦除是否成功。

正确使用Erase Resume 是一个确保 NAND Flash 正确写入和数据完整性的关键步骤。如前所述，总是按照硬件制造商提供的指导操作，并在系统设计中纳入情况处理和错误检查。