闪存接口规范分为ONFI、Toggle两种，这两种标准是Intel为首的阵营与三星东芝两大闪存阵营“互殴”的结果。

早期的闪存，接口定义都不同，Intel为了统一接口规范，减轻产品厂商的开发压力，联合Hynix、Micron、Phison、Sony、Spansion于2006年共同创建的一个Nand Flash的接口标准，并于当年发布了ONFI1.0标准，支持SDR，内容主要是制定闪存的物理接口、封装、工作机制、控制指令、寄存器等规范，增加对ECC的支持。

而作为当时市场占用份额超过70%的三星和东芝，为了对抗Intel阵营，2007年12月，三星与东芝联合通过了一项关于闪存专利技术互换授权协议，根据这项协议，三星将允许东芝生产和制造自己旗下的OneNAND和Flex-OneNAND闪存芯片，而东芝公司则将以自己的LBA-NAND和mobileLBA-NAND闪存芯片技术作为条件与三星电子进行交换，这些闪存芯片生产技术都是三星电子和东芝的核心技术，但是新的合作协议让双方在闪存芯片制造技术实力上都取得了进一步的增强，此外他们将一同合作研发新一代闪存产品，也就是后来的Toggle DDR NAND闪存。
    2010年6月三星与东芝开始投产符合Toggle DDR 1.0接口标准的NAND闪存，Toggle DDR NAND采用双向DQS信号控制读写操作，信号的上升与下降沿都可以进行资料的传输，能使传输速度翻倍，接口带宽为133MB/s，而且没有内置同步时钟发生器（即NAND还是异步设计），因此其功耗会比同步NAND更低。

同步和异步模式，其实是在ONFI 2.0标准中新加入的特性（ToggleDDR不存在同步闪存的情况，均为异步设计），ONFI 2.0标准在NAND中加入了同步时钟发生器，主控可以通过发送同步指令激活闪存上的同步时钟信号，使闪存工作在同步模式 ，此时闪存的数据传输速率会大幅度提升，异步模式相当于ONFI 1.0，闪存的带宽为50MB/s，而同步模式下闪存至少也符合ONFI 2.0，闪存带宽可达到133MB/s以上。

ONFI3.0时，增加NV-DDR2，ONFI4.0时增加了NV-DDR3。